首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
碳化硅（SiC）的熔点约为 2,730°C 。 之所以能达到如此高的熔点，是因为碳化硅晶格中的碳原子和硅原子之间的结合力很强，从而造就了碳化硅卓越的热性能。2024年10月22日 熔点：升华温度为2700°C，分解温度为2830°C（也有资料表明其实际熔点大概在2200°C左右） 品种与分类. 按颜色分类：中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化 碳化硅的一些小知识 - 百家号
了解更多
碳化硅熔点-熔点的测定是确定碳化硅熔点的一种技术方法。 常见的测定方法有热分析、光度计法、热重法和高温重量法。 这些测定方法都可以用来测定碳化硅的熔点。2017年8月19日 熔点：2700＆＃160；＆＃x00b0；C (lit.) 密度：3.22＆＃160；g/mL＆＃160；at 25＆＃160；＆＃x00b0；C (lit.) 由于其高热稳定性及高强 碳化硅的理化性质及危险特性(SDS\MSDS)表_结构式分子量 ...
了解更多
不过，碳化硅并没有确切的温度，它的熔点很高，一般在 2730℃（约 4946°F）左右。 当达到这个温度时，碳化硅就会开始熔化。 一般来说，碳化硅在不同温度下具有不同的特性和用途。 例如，当温度低于 1000°C 时，碳化硅通常具有完 本文将着重探究二氧化硅和碳化硅的熔点差异，并分析影响因素以及熔点差异对结构与应用的可能影响。 二氧化硅在常温下为固体物质，其熔点是指将固态二氧化硅加热到足够高的温度时， 二氧化硅和碳化硅的熔点_解释说明以及概述 - 百度文库
了解更多
2024年10月28日 中国现行碳化硅制品技术条件国家标准（GB/t 2480 mdash；2008），根据不同的用途和品级，规定了粒度组成、化学成分、磁性含量、铁合金颗粒、密度等项目，相应的检测分析方法均等同或相当于最新版本的 摘要： 碳化硅材料在航天工业中被用于热保护系统的超高温陶瓷复合材料.本文介绍了在高温氧化环境中使用的主要是碳化硅陶瓷复合材料,还分析了碳化硅的氧化过程和解决方案.碳化硅通常与碳纤维混合,用于非氧化物基体材料中,从而获得增强复合材料,在2600℃以上的温度下进行应用.进 碳化硅材料热学性能的研究与发展 - 百度学术
了解更多
2024年1月2日 3. 碳化硅的导电性较高，可以用作半导体材料。 用途： 1. 碳化硅的高耐热性和化学稳定性，它常被用作高温结构材料，例如高温炉管、炉垫和砂轮等。 2. 碳化硅在电子行业中应用广泛，如制造高功率半导体器件、集成电路和光电子元件等。 3.摘要： 先驱体转化法制备碳化硅(SiC)纤维的过程包括先驱体聚碳硅烷(PCS)的合成,熔融纺丝得到原丝,不熔化处理(交联)得到交联丝,惰性气氛下高温热解得到SiC纤维.在本研究中采用两种的方法对原丝进行不熔化处理,即在含氧(1%)气氛下电子束低剂量辐照PCS原丝后于惰性气氛下退火实现不熔化处理,或者在 ...两种不熔化处理方法对制备碳化硅纤维的影响 - 百度学术
了解更多
2024年9月23日 碳化硅（SiC）是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。2023年6月21日 中国粉体网讯 碳化硅（SiC）作为重要的第三代半导体材料之一，在高温、高频、高功率、抗辐射等方面具有优秀的性能。SiC基器件已经在军事、民事、航空航天等多领域得到了广泛应用，是各国科学技术竞争的重点领域。SiC衬底晶片作为SiC产业链的基石有着至关重要的 碳化硅长晶技术进展 - 中国粉体网
了解更多
1.碳化硅（SiC)为共价键化合物。碳化硅晶体结构中的单位晶胞是由相同四面体构成的，主要晶型是α-型和β-型两种。α-SiC为高温稳定型，β-SiC为低温稳定型。β-SiC向α-SiC转变的温度始于2100℃,但转变速率很小。在0. 1MPa压力下分解温度为2380℃,不存在2008年4月6日 石墨碳化硅熔化分别克服什么化学键？你这个碳应当发到化学板块去，而且问的不太明白，你是说不明白什么是化学键还是问化学键的类型。石墨结构为层状，层与层之间靠分子间作用力，也就是范德华力连接，层内部靠碳成一石墨碳化硅熔化分别克服什么化学键？_百度知道
了解更多
二氧化硅和碳化硅的熔点_解释说明以及概述- 二氧化硅的晶体结构为三维网状，由硅离子和氧离子通过共价键形成。在高温下，这种结构会发生断裂，导致晶体融化。同时，三维结构使得分子间键合力较大，需要较高的能量才能达到熔点。碳化硅的晶体 ...熔点是固体将其物态由固态转变（ 熔化 ）为液态的温度，缩写为m.p.。 而 DNA分子 的熔点一般可用T m 表示。 进行相反动作（即由液态转为固态）的温度，称之为 凝固点。与沸点不同的是，熔点受 压力 的影响很小。 而大多数情况下一个物体的熔点就等于凝固熔点（物理概念）_百度百科
了解更多
2024年5月6日 在碳化硅晶片粘接面制作一层相对致密的碳膜，要求在灯光下没有大面积漏光点。2)将覆盖有碳膜的碳化硅 晶片和石墨纸进行粘接，粘接面为碳膜面，要求粘接层在光照下，颜色均匀一致，为黑色 3)用石墨板夹紧石墨纸，悬挂至石墨坩上方，进行 ...碳化硅热膨胀系数-碳化硅热膨胀系数Байду номын сангаас碳化硅是一种无机类单质，是一种二元类单质，其符号为SiC，有着结构及物理性质上的优异性能，被广泛运用于各种领域。碳化硅的历史可追溯至第三次工业革命，它的研究与发展迅速，并获得了广泛的应用。碳化硅热膨胀系数 - 百度文库
了解更多
2010年5月4日 点，是最具前途的高温结构材料。1974年美国的 ProchazkaS．首先以少量的B、C作为添加剂，在无 压条件下获得致密的碳化硅烧结体⋯。在此基础 上发展起来的碳化硅陶瓷制备技术，已应用于工业 化生产。制作的密封环、耐磨喷嘴、轴承、防弹板、热3.3 碳化硅的分解对碳化硅蒸发与凝聚的影响分析 试验与生产经验都表明，当重结晶碳化硅成品未出现表层沉积碳时，其蒸发凝聚完全。当有表层沉积碳且较严重时，电镜试验往往可以看到蒸发不完全的现象。说明碳化硅的分解对碳化硅蒸发与凝聚有明显的影响。重结晶碳化硅烧成中碳化硅的分解现象、热力学条件及对蒸发 ...
了解更多
2019年7月18日 碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。 ... 千辛万苦研发出来的SiC器件，和Si器件相比到底哪点 好？苏勇锦认为主要有以下三点： 1、 更低的阻抗，带来更小尺寸 ...2023年10月13日 碳化硅的化学性质碳化硅的化学性质可以概括如下：1. 碳化硅和碱：通常情况下，碳化硅不与碱反应。它是一种非金属材料，相对稳定，不容易被碱侵蚀。因此，碱性溶液一般不会对碳化硅产生显著的化学反应。这是因为碳化碳化硅的化学性质 - 百度知道
了解更多
2009年6月30日 2017-07-24 石墨坩埚和碳化硅坩埚有什么不同 2013-07-12 碳化硅坩埚，好用么？ 和一般石墨坩埚有啥不一样 6 2017-05-16 碳化硅坩埚和石墨坩埚的不同之处在哪里 2 2012-12-27 高纯石墨坩埚和碳化硅坩埚,做搞有色铸造有什么区别呢 2017-03-26 石墨碳化硅坩埚能耐几千度 2021年7月13日 本发明涉及碳化硅陶瓷的表面处理，特别是涉及反应烧结碳化硅陶瓷表面残留硅瘤点的去除。背景技术： 碳化硅陶瓷作为一种人工合成的材料，有着良好的化学稳定性，不易被酸碱腐蚀以及氧化，同时有着良好的结构性能，被广泛应用于诸多领域，如石油、化工、机械、电子、航天航空等。熔盐去除反应烧结碳化硅陶瓷表面硅瘤的方法与流程 - X技术网
了解更多
碳化硅分解温度-碳化硅分解温度碳化硅（Silicon Carbide，SiC ）是一种耐高温材料，其分解温度是指在一定压力下开始分解的温度。碳化硅分解温度的大小与不同晶型、晶粒尺寸、杂质含量等因素有关。本文将探讨碳化硅分解温度的影响因素、测定方法以及 ...2024年10月20日 坩埚是用啥做的？怎么上千度的高温铁水，都无法熔化它？,坩埚,石墨,高温,金属,铁水,碳化硅 综述 在冶金行业，滚烫的铁水温度能达到1500摄氏度左右，足以融化大部分金属，甚至可以瞬间把你扔进去的任何东西烧成灰烬。可小小的坩埚，却能在这样的高温下稳稳地挺立着，丝毫不被融化或烧穿。坩埚是用啥做的？怎么上千度的高温铁水，都无法熔化它？
了解更多
2023年11月1日 因此，准确监测和控制电子束选区熔化成形过程中的温度分布和温度变化 对于提高制件的质量和性能至关重要。 在电子束选区熔化过程中，电子束在粉末层上进行逐层扫描，选择性熔化粉末材料，因此温度监测 需要对电子束扫描面的多点温度分布进行同步采集。碳化硅发展趋势、难点痛点 以及国内产业链解析 碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3 ...碳化硅发展趋势、难点痛点以及国内产业链解析 - 百度文库
了解更多
碳化硅陶瓷是一种以碳化硅（SiC）为主要成分的陶瓷材料，具有优异的室温力学性能和高温力学性能，包括高弯曲强度、优异的抗氧化性能、良好的耐腐蚀性能、高耐磨性和低摩擦系数。该材料的高温强度可维持到1600℃，是已知陶瓷材料中高温强度最好的。具体来说，在低温下，碳化硅的导热主要由晶格点的声子传导实现。晶格点的振动频率与晶格结构以及原子种类有关，不同的振动模式对应不同的声子能量。随着温度的升高，声子的平均能量也增大，从而导致声子- 声子散射的发生。此时，碳化硅中声子 ...碳化硅温度与导热系数_百度文库
了解更多
2023年6月23日 氧化层的厚度大约2纳米，可以阻止内部碳化硅进一步被氧化，起到保护碳化硅的作用。碳化硅负载的贵金属纳米颗粒具有独特的催化作用，这种独特性与金属和碳化硅间的电子转移有很大关系。因此，在负载金属之前有时候需要用氢氟酸洗掉碳化硅表面的氧化层。运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化、表面熔化和晶体生长过程.分别采用MEAM 势和Tersoff势两种势函数描述碳化硅.结果表明:体熔化时,两种势函数描述的SiC的原子平均能量、Lindemann指数和结构有序参数与温度的变化关系相似,但MEAM势对应的 ...MEAM势与Tersoff势比较研究碳化硅熔化与凝固行为 - 物理学报
了解更多
2014年12月17日 物理学报ActaPhys．Sin．Vo1．61，No．0108101MEAM势与Tersoff势比较研究一碳化硅熔化与凝固行为术周耐根洪涛周浪十南昌大学材料科学与工程学院，南昌330031011年4月l日收到；011年5月7日收到修改稿运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化、表面熔化和晶体生长过程．分别采用MEAM势和Tersoff势两种 ...2024年3月17日 石墨熔化时破坏共价键的主要原因是石墨晶体为混合型晶体，层与层之间通过相对较弱的范德华力连接，而层内则是由碳原子之间的共价键强结合形成六边形结构。 在固体变成液体的过程中，通常维持晶格的化学键会被破坏。由于石墨的层内共价键比层间的范德华力要强得多，所以在石墨熔化时 ...石墨熔化为什么破坏共价键? - 知乎
了解更多
2023年10月16日 采用 SiC 制备的器件产热可以快速被传导出去，由此 SiC 器件对 散热条件的要求相对较宽松，更适合制备大功率器件。SiC 具有稳定的热力学性质。在常压条件下，SiC会在较高温度下直接分解为含Si与C 的蒸气，而不会发生熔化。2023年10月29日 以碳化硅晶体面为例： 4H-SIC和6H-SIC的空间群是P63mc，点群是6mm。两者都属于六方晶系，具有各向异性。3C-SIC的空间群是F-43m，点群是-43m。它属于立方晶系，不具有各向异性。15R-SIC的空间群是R3m，点群是3m。它属于三方晶系，具有各向异性。不同碳化硅晶体面带来的可能性 - CSDN博客
了解更多
2022年10月11日 碳化硅（SiC）制备在核燃料研究中具有重要意义，例如新型事故容错核燃料采用SiC作为关键基体材料。研究SiC纳米包覆颗粒的烧结行为对优化新型核燃料基体材料制备工艺具有指导意义。该文根据纳米颗粒熔点变化规律，验证了Tersoff势函数进行SiC分子动力学模拟的可行性和模型参数的准确性；考察 ...
了解更多