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17 小时之前 集邦咨询顾问（深圳）有限公司（以下简称“集邦咨询”）数据显示，今年以来，碳化硅产业链已有44家公司获得融资。其中，广州南砂晶圆半导体技术有限公司、苏州悉智科技有 2024年12月9日 近日，美国政府宣布了与Coherent、SkyWater和X-Fab三家公司签署的初步条款备忘录（PMT），这是在“芯片和科学法案”（CHIPS and Science Act）下的重要一步，旨在 市场6亿资金！美根据CHIPS法案再把资金投向两家碳化硅厂家
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2024年12月13日 2023 年全球SiC 车型销售约为280 万台,增速为64% 左右;预计2024 年增长20% 左右,达到338 万台左右,大约是2018 年的22.15 倍。 从社会效益角度,SiC 储能、工业电机、 2024年6月14日 半导体、碳化硅一直是国家的重点关注的高科技行业之一，从“十五”开始，发展集成电路、元器件等规划就提上了日程，随后产业升级、科技进步 ...重磅！2024年中国及31省市碳化硅行业政策汇总及
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2024年6月14日 半导体、碳化硅一直是国家的重点关注的高科技行业之一，从“十五”开始，发展集成电路、元器件等规划就提上了日程，随后产业升级、科技进步成为了国家战略性政策中长期占据主导地位的规划，从“十三五”开始，先进半 1 天前 碳化硅（SiC ）作为半导体领域的新生力量，正持续受到资本追捧。 集邦咨询顾问（深圳）有限公司（以下简称“集邦咨询”）数据显示，今年以来，碳化硅产业链已有44家公司获得融 碳化硅产业链受资本青睐 融资热有望持续 - 证券日报网
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2024年10月17日 拜登-哈里斯政府宣布，美国商务部和Wolfspeed签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），根据《芯片和科学法案》提供高达7.5亿美元的拟议直接资金。拟议的资 2024年10月28日 为加快推进第三代半导体材料行业的发展，国家层面先后印发《制造业可靠性提升实施意见》、《关于化纤工业高质量发展的指导意见》等鼓励性、支持性政策。作为第三代 截至2024年国家层面有关碳化硅行业的政策重点内容解读(一)
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2024年5月30日 2022全球碳化硅行业专利技术申请量或申请人数量整体达到最高水平，整体来看，全球碳化硅技术发展步入平稳发展时期。 2023年申请人数量约1000位，申请量超过2600项。 碳化硅行业专利申请及公开数量情况：专利申 1 天前 集邦咨询顾问（深圳）有限公司（以下简称“集邦咨询”）数据显示，今年以来，碳化硅产业链已有44家公司获得融资。 其中，广州南砂晶圆半导体 ...碳化硅产业链受资本青睐 融资热有望持续 _ 东方财富网
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2024年12月13日 意法半导体表示，其第四代碳化硅MOSFET技术在功率效率、功率密度和稳定性方面树立了新的标杆。新技术在满足汽车和工业市场应用需求的同时，还特别针对电动汽车牵引逆变器应用进行了优化。意法半导体还计划在2027年之前推出更多先进的碳化硅技术2024年11月25日 在碳化硅业务方面，10月9日，据芯联集成官微披露，芯联集成与广汽埃安签订了一项长期合作战略协议。 根据协议，芯联集成将为广汽埃安旗下全系新车型提供高性能的碳化硅MOSFET与硅基IGBT芯片和模块，这些芯片和模块将被应用于广汽埃安未来几年内生产的上百万辆新能源汽车上。押注碳化硅！小米入股芯联动力-全球半导体观察
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2024年10月29日 今年6月，意法半导体官宣已与吉利汽车签署碳化硅器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。 按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供碳化硅功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里 2024年11月14日 从国内情况来看，目前，天岳先进掌握行业最大尺寸12英寸碳化硅衬底的生产技术，并已实现8英寸碳化硅衬底的稳定量产。 除了天岳先进，还有烁科晶体、同光晶体、天科合达等也具备8英寸碳化硅衬底生产能力，另外一些其他企业也在碳化硅衬底领域有所布局和研发，但可能尚未实现8英寸或更大 ...业界首款300mm碳化硅衬底问世-全球半导体观察
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2024年10月9日 引入碳化硅技术，采埃孚在华第3家电驱动工厂开业 英诺赛科上市备案通过 102亿，两大半导体公司合建SiC项目 第三代半导体碳化硅，又传动态 小米押注碳化硅 押注碳化硅！小米入股芯联动力2024年9月20日 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。其中碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节，其生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。 图源：全球半导体观察制图8英寸碳化硅之争，正燃-全球半导体观察
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2024年9月30日 引入碳化硅技术，采埃孚在华第3家电驱动工厂开业 英诺赛科上市备案通过 102亿，两大半导体公司合建SiC项目 第三代半导体碳化硅，又传动态 小米押注碳化硅 押注碳化硅！小米入股芯联动力 商务部：推动国家第三代半导体技术创新中心等平台高质量发展当地时间2024年12月23日，美国白宫网站发布简报称，美国拜登-哈里斯政府对中国生产的成熟制程半导体，基于《贸易法》301条款展开调查。这一调查目的是应对所谓的“国家安全威胁”，并减少美国对这些芯片突发！涉及碳化硅衬底材料，美国拜登政府对中国生产的成熟 ...
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2024年9月26日 据悉，Soitec拥有一种独有的SmartSiC™技术，该技术通过处理高质量的碳化硅单晶衬底，将处理后的表面键合到多晶碳化硅晶圆作为支撑衬底，然后将单晶衬底分割成薄膜，从而从一个碳化硅单晶衬底生产出多个高质量的碳化硅晶圆，由此显著提高了生产效率。2024年11月13日 二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地；项目总占地面积52790.032m2 11月12日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。8英寸碳化硅！天科合达北京二期项目正式开工-全球半导体观察
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2024年11月27日 据介绍，乐道L60是同级别车型中唯一采用全域900V高压平台架构的车型，其主电驱系统搭载的蔚来自研1200V 碳化硅功率模块，融合了芯联集成提供的高性能碳化硅模块制造技术，不仅实现了动力系统的高效率和高稳定性，也在降低能耗的同时提高了L60的续航1 天前 碳化硅（SiC）作为半导体领域的新生力量，正持续受到资本追捧。 集邦咨询顾问（深圳）有限公司（以下简称“集邦咨询”）数据显示，今年以来，碳化硅产业链已有44家公司获得融资。 其中，广州南砂晶圆半导体技术有限公司、苏州悉智科技有限公司 ...证券日报网-碳化硅产业链受资本青睐 融资热有望持续
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2023年3月15日 技术难点成功突破优势 栅氧是MOSFET研发中较核心的工艺，所以我们通过模拟监控进行监控测试，包括物理监控、电性监测等检控方式，以此保证可以提供给客户更优良稳定的产品，下面通过这几项监测进行模拟实验。 1.2022年10月3日 绿色环保意识和法规在推动电动汽车市场发展，它们助力电池技术和碳化硅（SiC ... 电池技术的改进带来了容量的扩充和成本的降低，而基于SiC 器件的设计使这些系统更加高效。太阳能光伏的一个关键优势在于其广泛的可扩展性，从住宅应用的几 ...碳化硅技术助力绿色环保替代方案进入良性循环 Wolfspeed
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2024年8月8日 仅2024年上半年，国内就有数十个碳化硅相关项目披露新进展。 而在技术研发和产业化方面，通过产学研合作，国家主导建设的科研机构和高校助力三代半相关厂商加速实现技术升级迭代和产业化。2024年7月29日 关于芯合半导体 专注于功率半导体器件产品的设计、生产和销售。公司主要产品为SiC MOSFET/SiC SBD。 芯合半导体齐聚了一支技术和产业化经验丰富的核心团队，秉承“极致、和谐、坚持”的企业文化，深耕功率半导体，重点致力于开发碳化硅分立 ...自研+生产，芯合半导体碳化硅功率芯片技术达国际先进水平
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2024年9月18日 作为全球碳化硅衬底主要生产商之一，天科合达目前正在持续加码碳化硅衬底产能。 今年2月，天科合达控股子公司深圳市重投天科半导体有限公司建设运营的碳化硅材料产业园项目在深圳市宝安区正式揭牌启用，将重点布局6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线。2 天之前 SiC的高功率密度有助于开发高性能、轻量化、紧凑型充电器，特别是超级充电站和超紧凑壁挂式直流充电站。与传统的硅基解决方案相比，电动汽车充电站中的碳化硅技术可将效率提高 1%，从而减少能源损失和运营成本。英飞凌与深圳英飞源技术（Infypower）达成合作-集邦化合物 ...
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2024年10月21日 最新市场消息显示，由于中国新能源汽车、光伏市场近年来的迅猛发展，在技术迭代及产能扩充加快步伐下，碳化硅产业链多环节成本正在大幅下降，其中SiC衬底、外延以及SiC模块降价明显。SiC衬底价格三大问题引发市场关注行业消息显示，今年以来，主流6英寸SiC衬底价格持续下滑，其价格已下...17 小时之前 据介绍，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进布局液相法技术，在2023年发布了8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。天岳先进发布12英寸碳化硅衬底-集邦化合物半导体
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2024年9月2日 三菱电机功率器件制作所首席技术顾问Gourab Majumdar博士此前在接受电力电子网采访时候曾表示，碳化硅路线将来要用到两个新技术，在1200V以下是沟槽栅碳化硅MOSFET，3.3kV以上将采用把肖特基二极管（SBD）集成在MOSFET中的平面栅碳化硅 。 ...2024年10月30日 碳化硅基半导体器件用超高温退火炉用于碳化硅的高温退火活化工艺，可以消除晶格缺陷... 引入碳化硅技术，采埃孚在华第3家电驱动工厂开业 英诺赛科上市备案通过 102亿，两大半导体公司合建SiC项目碳化硅设备企业拉普拉斯正式上市！-全球半导体观察
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2010年1月1日 中国碳化硅行业深度调研及投资前景预测报告，首先介绍了碳化硅的基本概念、影响国内碳化硅发展的经济环境、国际环境、政策环境、技术环境及产业环境。接着分析了碳化硅产业链结构、国内碳化硅行业的发展状况及碳化硅进出口规模，然后对碳化硅器件的重点应用领域进行了系统分析，还对 ...2024年11月19日 碳化硅（SiC）技术取代旧的硅FET和IGBT 发布者：EnchantedMelody 最新更新时间：2024-11-19 来源: elecfans 关键字：碳化硅 SiC 硅FET IGBT 手机看文章 扫描二维码 随时随地手机看文章碳化硅（SiC）技术取代旧的硅FET和IGBT-电子工程世界
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4 天之前 工厂年产能预计包括7.2万片碳化硅外延晶圆、7.2万个MOSFET和模块，产品将应用于电动汽车、汽车及可再生能源领域。 印度和泰国的碳化硅工厂建设计划不仅加速了两国在半导体行业的发展，也标志着全球在碳化硅技术和应用方面的持续进展。技术顾问协议-日期：年月日日期：年月日甲方的义务：1、按双方协定及时向乙方支付出差工时费和顾问费。第六条、保密条款 在咨询过程中，乙方应对甲方有关项目相关的图纸、关键技术对外保密，不得泄露给任何第三方。若有违反的，应赔偿甲方因此 ...技术顾问协议 - 百度文库
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2024年7月29日 近日，三安半导体在两方部署的碳化硅项目均刷新进度：湖南与重庆两地工厂的设备搬入完成，这2条8英寸SiC线即将迎来投产，合计产能96万片。 据称两地正式通线之后，三安半导体将正式转型为8英寸SiC垂直制造整合商，其SiC产能有望实现大幅提升，企业市场竞争力将 碳化硅陶瓷是一种以碳化硅（SiC）为主要成分的陶瓷材料，具有优异的室温力学性能和高温力学性能，包括高弯曲强度、优异的抗氧化性能、良好的耐腐蚀性能、高耐磨性和低摩擦系数。该材料的高温强度可维持到1600℃，是已知陶瓷材料中高温强度最好的。 下面简单介绍一下碳化硅陶瓷 碳化硅陶瓷的性能及应用 英诺华 - INNOVACERA
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5 天之前 12月26日，随着中车株洲所一台新一代电驱产品C-Power 220s在株洲智谷工业园下线，中车新能源乘用车电驱累计量产突破100万台大关。 据悉，C-Power 220s于2021年首次发布，应用了碳化硅（SiC）技术，采用创新的电机和控制系统设计，系统效率最高可达94 ...
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