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2024年11月22日 在全球能源结构转型和半导体技术迭代的双重驱动下，碳化硅（SiC）作为一种新型的宽禁带半导体材料，正逐步成为推动半导体行业绿色转型的关键力量。2020年9月21日 碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等 第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析_器件
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2024年1月31日 碳化硅在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子 漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具 有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高 电压、高频率的需求。 以碳 2024年9月10日 目前，碳化硅材料成为诸多高科技领域中不可替代和最有前景的新材料，其高技术含量和高附加值以及广阔的应用前景，已形成了千亿级的新型产业。 为推动碳化硅材料及 SiC碳化硅产业链深度分析 - 电子工程专辑 EE Times China
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2020年4月13日 日本新干线 N700S 已经率先在牵引变流器中使用碳化硅功率器件，大幅降低整车的重量，实现更高的运载效率和降低运营成本。 依托碳化硅领先技术，基本半导体助力中国“ 2024年11月21日 在半导体材料领域，碳化硅（SiC）正以其独特的优势引领着一场绿色革命。作为一种新型的半导体材料，SiC以其卓越的物理和化学特性，为电力电子、光电子、无线通信 碳化硅（SiC）的革新之路——材料科学的璀璨明珠 - RF技术社区
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2024年11月30日 摘要: 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。 常用 摘要 介绍了碳化硅陶瓷基复合材料的应用和发展现状 ,阐述了CVI -CMC -SiC制造技术在我国的研究进展 ,开展了CVI -CMC -SiC的性能与微结构特性的研究和CVI过程控制及其对性能影响的研 新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展-【维普期刊官网 ...
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2022年6月8日 通过全球搜索方法，在 SACADA-Samara 碳同素异形体数据库的 522 个纯碳结构中，用化学计量比为 1:1 的碳和硅原子替换碳原子，发现了六个具有直接带隙的新 SiC 相。新 3 天之前 近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前，碳化硅（SiC）晶圆行业正持续扩大产能以满足 基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
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2024年10月29日 无锡市伟业化工防腐设备厂主营:新型搪玻璃列管式换热器,搪玻璃冷凝器,碳化硅冷凝器等产品,厂家一手货源,质量可靠,价格合理,型号齐全,应用范围广,售后无忧.如有合作意向,欢迎您致电15895315293.2023年12月31日 SiC产业概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表。 什么是半导体？ 官话来说，半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 但导电性能的强弱，并非是体现半导体材料价值的最直观属性，半导体材 第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述_碳化硅半导体
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2024年10月29日 在半导体产业的快速发展中，碳化硅(SiC)作为一种新型的宽禁带半导体材料，正逐步成为功率半导体行业的重要发展方向。碳化硅功率器件以其耐高温、耐高压、高频、大功率和低能耗等优良特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域展现出巨大的应用 2023年12月26日 以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型 切割设备。该设备不仅支 日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可用于10吋晶圆 CINNOResearch ...日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可 ...
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2020年4月30日 以上就是芯光润泽公司提出的新型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，在国际半导体市场持续保持高速增长而国内市场自给率不足的情况下，相信厦门芯 ...中新网辽宁新闻9月21日电(记者赵桂华)2024辽宁沈阳“新型碳化硅材料前沿技术”交流大会，9月21日在沈阳市召开。10位来自国内碳化硅领域顶级专家，围绕碳化硅研究及应用等领域新成果、新突破进行了深入探讨，助推新民市国内唯一的碳化硅全产业链发展壮大。新材料 新视野！国内碳化硅领域“大咖”齐聚沈阳 助力新民打造 ...
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目的：通过对新型碳化硅－碳（ C／C-SiC）复合材料进行生物相容性的相关研究，论证其作为人工小关节假体替代材料上的可行性。方法将灭菌处理后的C／C-SiC 复合材料制成表面积与浸提介质体积比率分别为1 cm2／ml、3 cm2／ml、5 cm2／ml的C／C-SiC复合 ...新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展Pro g ress in Research Work of New CMC-SiC 西北工业大学张立同成来飞徐永东 [摘要]介绍了碳化硅陶瓷基复合材料的应用和发展现状,阐述了CVI-CMC-SiC制造技术在我国的研究进展,开展了CVI-CMC-SiC的性能与微结构特性的研究和CVI过程控制及其对性能影响的研究,研制了多种CMC-SiC ...新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展_百度文库
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2024年9月23日 转自：沈阳日报 本报讯（沈阳日报、沈报全媒体记者张晶）大力发展新质生产力，为县域经济发展赋能。9月21日，2024辽宁沈阳“新型碳化硅材料 ...2017年10月15日 新型半导体材料碳化硅-毕业论文-商业生产常用改良LeLy法 （PVT法。前苏联的Tairov等人使用SiC籽晶来控制所生长晶体的构型，生长出直径为8mm、长8mm的6H-SiC单晶。PVT 法主要用来生长尺寸较大的单晶。该过程生长速度与汽相饱和度成正比，通过汽相 ...新型半导体材料碳化硅-毕业论文_百度文库
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新型SiC器件将采用Microchip的客户为导向的产品淘汰机制，Microchip将根据客户需求来决定是否继续生产此类产品。 供货 Microchip将为该SiC产品组合提供一系列支持，例如各类SiC SPICE模块、SiC驱动板参考设计和一套功率因数校 摘要： 对几种常用反射镜材料的物理性能和工艺性能进行了比较 ,研究了碳化硅轻质反射镜的制作工艺 ,结果认为 :反应烧结是实现这种材料作为反射镜材料的巨大潜力的最有效的工艺 ,可以实现形状复杂产品的近净尺寸成型 ,样品在烧结过程中无收缩 ;样品处理时间短 ;无需特殊设备 ,在烧结过程 新型反射镜材料——碳化硅 - 百度学术
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2022年8月13日 目前碳化硅器件还有待解决的问题有高压、大电流，电流密度提升-新型芯片结构和新型封装技术，还有大尺寸高质量衬底及外延材料等。 邱宇峰表示，“双碳目标背景下，新型电力系统的构建面临诸多挑战，电力电子技术 2012年8月7日 新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展ProgressinResearchWorkofNewCMC-SiC西北工业大学 张立同 成来飞 徐永东 [摘要] 介绍了碳化硅陶瓷基复合材料的应用和发展现状阐述了CVI-CMC-SiC制造技术在我国的研究进展开展了CVI-CMC-SiC的性能与微结构特性的研究和CVI过程控制及其对性能影响的研究研制了多种CMC-SiC和其 ...新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展 - 道客巴巴
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2022年3月29日 为什么碳化硅可以助力新型电力系统？国产碳化硅在电网中的应用如何？行家说就此采访了中国电机工程学会电力系统电力电子器件专委会主任委员邱宇峰。 雄安新区将建成采用国产6500V碳化硅器件的柔性变电站 多个国重项目推动国产碳化硅器件在电网的应用2022年4月24日 因此，为了获得致密的碳化硅结构陶瓷材料，研究人员对碳化硅烧结机理、烧结助剂、烧结方法、致密化过程进行了大量研究和探索工作，先后发展了各种烧结技术，包括反应烧结、常压烧结、重结晶烧结、热压烧结、热等静压烧结，以及近二十年来的新型烧结国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
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2023年12月11日 水滴易被电场驱离，可形成较大干区，显著提升了涂层的湿闪电压。 该新型碳化硅/ 氟碳树脂超疏水涂层表现出良好的憎水性能、电荷消散特性和直流沿面闪络性能，对提升高湿环境中能源电力装备的绝缘性能具有重要参考价值 ...新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展 认领 被引量：225 Progress in Research Work of New CMC-SiC 在线阅读 免费下载 职称材料 引用 收藏 分享 摘要 介绍了碳化硅陶瓷基复合材料的应用和发展现状 ,阐述了CVI -CMC -SiC制造技术在我国的研究 ...新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展-【维普期刊官网 ...
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新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展Pro g ress in Research Work of New CMC-SiC 西北工业大学张立同成来飞徐永东 [摘要]介绍了碳化硅陶瓷基复合材料的应用和发展现状,阐述了CVI-CMC-SiC制造技术在我国的研究进展,开展了CVI-CMC-SiC的性能与微结构特性的研究和CVI过程控制及其对性能影响的研究,研制了多种CMC-SiC ...2024年11月22日 在全球能源结构转型和半导体技术迭代的双重驱动下，碳化硅（SiC）作为一种新型的宽禁带半导体材料，正逐步成为推动半导体行业绿色转型的关键力量。SiC凭借其出色的电学性能和热稳定性，为节能减排、提高能效提供了全新的解决方案，正深刻影响着从消费电子到工业自动化的多个领域。碳化硅（SiC）的崛起——半导体行业的绿色转型引擎 - RF ...
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2020年1月1日 新型碳化硅 超高压器件终端技术 在碳化硅 IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术的结构包括结终端扩展（JTE）、场限环（GR ...2024年9月13日 【电路】新型碳化硅基片提升功率器件解析 【电路】碳化硅隔离栅器件解析 【电路】肖特基和碳化硅二极管解析 【电路】SiC和GaN用于功率转换的前景分析 【电路】SiC MOSFET在汽车和电源中的应用详解第三代半导体材料：碳化硅和氮化镓-电子头条 ...
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2022年6月8日 Pccn -SiC、P 4/ ncc -SiC、Pmn 2 1 -SiC 和Pnma -SiC 的抗压性优于F4¯3米-碳化硅。 所有提出的结构都是直接带隙半导体，具有2.86∼3.72 eV的宽禁带范围，其有效质量比金刚石硅小，在高频、高温和大功率电子器件中具有广阔的应用前景。2020年1月1日 新型碳化硅超高压器件终端技术 在碳化硅 IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术的结构包括结终端扩展（JTE）、场限环（GR）、场板等。新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体舞台__财经头条
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2024年9月25日 该眼镜的首次公开亮相，标志着“极致轻薄无彩虹纹碳化硅 AR 衍射光波导”科技成果的全球首发。其配备的碳化硅 AR 镜片单片重 2.7 克，厚度仅 0.55 毫米，比太阳眼镜还要薄。同时，其实现了大视场角的单片全彩显示 ...摘要：新型碳化硅陶瓷列管式石墨换热器具有碳化硅陶瓷的高强度、耐高温、高导热和全面 的耐酸碱腐蚀特性,主要用于电力、钢铁、冶金、化工、制药、纺织等工业领域,特别适应于高 温、高压、强酸强碱腐蚀、高速气流冲刷、颗粒磨损等苛刻工况条件。新型碳化硅陶瓷列管式石墨换热器_百度文库
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2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的1.8倍）过渡。2020年1月2日 新型碳化硅 超高压器件终端技术在碳化硅 IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术的结构包括结终端扩展（JTE）、场限环（GR ...新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体舞台_网易订阅
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2020年1月2日 新型碳化硅超高压器件终端技术在碳化硅 IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术的结构包括结终端扩展（JTE）、场限环（GR）、场板等。2023年12月26日 CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备。该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可 ...日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可 ...
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